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　　美光公司在(zài)华销(xiāo)售的产(chǎn)品未通(tōng)过(guò)网络安(ān)全审查(chá)

　　据网(wǎng)信办消息(xī)，日前，网络(luò)安(ān)全审(shěn)查办公室依法对美光公司在华销售产品进行(xíng)了网(wǎng)络安全审查。

　　审查发现，美(měi)光(guāng)公司(sī)产品存在较(jiào)严重网络安全问(wèn)题隐患(huàn)，对我国关键信息(xī)基础设(shè)施供应链造成(chéng)重大安(ān)全风险(xiǎn)，影响我国国(guó)家安(ān)全。为此，网络安全审查办公室(shì)依(yī)法作出(chū)不予(yǔ)通过网络安全(quán)审查的结(jié)论。按(àn)照《网络安全法(fǎ)》等法(fǎ)律法规(guī)，我国内关键信息基(jī)础设施的运(yùn)营者应停止(zhǐ)采购美光公司产品(pǐn)。

　　此次(cì)对美光公司产品进行(xíng)网(wǎng)络安(ān)全审查，目的(de)是防(fáng)范产品网(wǎng)络安全问题危(wēi)害(hài)国家关(guān)键信息基础(chǔ)设施安全(quán)，是维护国(guó)家安全(quán)的(de)必要措(cuò)施(shī)。中国坚定推进高水平对外开放(fàng)，只(zhǐ)要遵守中国法律法规要求，欢迎各国企业(yè)、各类平台产品服(fú)务进入中国(guó)市场。

　　3月31日，中国网信网(wǎng)发(fā)文称，为保障关键信息基础设(shè)施(shī)供应链安全(quán)，防范产品问题隐患造成网络安全风险，维护国家安全(quán)，依据(jù)《中(zhōng)华人(rén)民共和(hé)国国(guó)家安全法》《中华(huá)人民共和国网(wǎng)络(luò)安全法》，网络安全(quán)审查办公(gōng)室按照《网络安(ān)全审查办法》，对(duì)美光公司（Micron）在华(huá)销售的产品实施网络安全(quán)审查。

　　美(měi)光是美国(guó)的存储芯(xīn)片(piàn)行业龙头，也是全球存储芯(xīn)片巨头之(zhī)一，2022年收(shōu)入来自中国市(shì)场(chǎng)收入从(cóng)此前高峰57％降至(zhì)2022年约11％。根据市场咨询(xún)机构 Omdia（IHS Markit）统计，2021 年三星(xīng)电子、 铠侠、西部数据、SK 海力士、美光、Solidigm 在全球 NAND Flash （闪(shǎn)存）市场份额约(yuē)为(wèi) 96.76％，三星电子、 SK 海力士、美光在全球(qiú) DRAM （内存）市(shì)场份额约为(wèi) 94.35％。

　　A股上市公司中，江波龙、佰维(wéi)存储等公司披(pī)露(lù)过美光等国际存储厂(chǎng)商为公司供应商。

　　美光在江波龙采购占比已经显著下降，至(zhì)少已经不是主要大(dà)供应商(shāng)。

　　公(gōng)告显示， 2021年美光(guāng)位列(liè)江波(bō)龙第一大存储晶(jīng)圆供应(yīng)商，采购约(yuē)31亿元，占比33.52％；2022年，江(jiāng)波龙第一大(dà)、第(dì)二大和第三大供应商采(cǎi)购金额占(zhàn)比分别(bié)是26.28％、22.85％和(hé)5.76％。

　　目前(qián)江(jiāng)波龙已(yǐ)经在存储产业链上下(xià)游建立国内外广(guǎng)泛合东周和西周的区别是什么意思，东周和西周的区别在哪儿作。2022年年报显示，江波龙与三(sān)星、美光、西部数(shù)据等主要存储晶圆原厂签署了长期(qī)合约，确保存储晶圆供应的稳定性(xìng)，巩(gǒng)固公司在下游(yóu)市场的供应优势，公司也(yě)与(yǔ)国内国产存储晶圆(yuán)原厂武汉长江存储、合肥长(zhǎng)鑫保持良好的合作。

　　有券商此前就(jiù)分析，如果(guǒ)美光在中国(guó)区销(xiāo)售受到限制，或将导致下游客户(hù)转而(ér)采购国外(wài)三(sān)星(xīng)、 SK海力士，国(guó)内(nèi)长江存储、长(zhǎng)鑫存(cún)储等(děng)竞对(duì)产品

　　分析称，长(zhǎng)存、长(zhǎng)鑫的(de)上(shàng)游设备厂或从中受益。存储(chǔ)器的生产(chǎn)已(yǐ)经演进到1Xnm、1Ynm甚至1Znm的工艺。另外NAND Flash现在(zài)已经进入3D NAND时(shí)代，2 维到3维的结构(gòu)转变使刻蚀(shí)和薄膜(mó)成为最(zuì)关键、最大量的加工(gōng)设备。3D NAND每层均需要经过薄膜沉(chén)积工艺步骤，同时(shí)刻蚀(shí)目前前沿(yán)要刻到(dào) 60：1的深(shēn)孔，未来可能会(huì)更深的孔(kǒng)或者沟槽，催生更多设备需求。据(jù)东京(jīng东周和西周的区别是什么意思，东周和西周的区别在哪儿)电子披(pī)露，薄膜沉积设备及刻蚀占3D NAND产线资本开支合(hé)计为(wèi)75％。自(zì)长江存储被(bèi)加入美国限制(zhì)名单，设备(bèi)国产化(huà)进(jìn)程加速，看好(hǎo)拓荆科技（薄膜沉(chén)积）等相关公(gōng)司份额提升，以(yǐ)及存储(chǔ)业务占比较(jiào)高的华海清科（CMP）、盛美(měi)上海（清洗）等收入增长。

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